2010 KLA TENCOR Candela CS20
二手
- 品牌: KLA-Tencor
- 型号: CANDELA CS20
晶片尺寸: 2 ~8英寸 | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 优秀 | 照明源: 8mW激光器,635纳米波长 | 操作员界面: 轨迹球和键盘标准 | 基材厚度: 350 μm ~ 1,100 μm | 基板材料: 任何透明或不透明的抛光表面 | 其他缺陷和应用: 颗粒、划痕、污点、凹坑和凸起。 | 敏感性: 自动缺陷分类的最小可检测尺寸 | - 刮痕: 100μm长,0.1μm宽,50埃;;深。 | - 坑: 直径...
天安市, 韩国1997 Schmitt Measurement System TMS 2000
二手
- 品牌: Schmitt Measurement System
晶片尺寸: 6" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 原样
天安市, 韩国- 天安市, 韩国
- 天安市, 韩国
- 天安市, 韩国
KLA TENCOR P-2
二手
- 品牌: KLA-Tencor
- 型号: P-2
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | - 扫描长度: 210mm。 | - 扫描速度: 1㎛ ~ 25毫米/秒。 | - 测针力: 1 ~100毫克。 | - 电动x-y平台(最大样品量: 254x254mm)。 | - 选择: 精密定位器 | - 公用事业: 真空。 | - 权力: 110V/50HZ, 4A。
天安市, 韩国1995 KLA TENCOR P-10
二手
- 品牌: KLA-Tencor
- 型号: P-10
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 业务 | - 测量范围: 13㎛,300㎛. | - 扫描长度: 210mm。 | - 扫描速度: 1㎛ ~ 25毫米/秒。 | - 测针力: 1 ~100毫克。 | - 电动x-y平台(最大样品量: 254x254mm)。 | - 公用事业: 真空。 | - 权力: 115V/50HZ,4A。
天安市, 韩国2010 SDI/SEMILAB MCV2500
二手
- 品牌: Semilab
晶片尺寸: 12" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | - cv计噪音测试(肖特基二极管测试): 1 std(% ) <0.167%。 | - 摩斯晶圆面积测试: 1 std(% ) <0.1% | ■ 电容: 0 ~ 2000pF(1MHz), 1 ~ 20,000pF(100KHz) | 电导率: 0 ~ 2000μS | 直流偏置电压: ± 250V | ■ 斜率: 0 ~ 50 V/s连续可变 | ...
天安市, 韩国2007 N&K N&K Little foot 8000 CD
二手
- 品牌: N&K
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 业务 | Duv - vis - nir: 190纳米至1000纳米 | 带光点尺寸的分析器单元: 50um | S/w版本: 10.5.3.0 | - 薄膜: 薄膜厚度/n和k | - 幼儿教育: 深度/CD/轮廓
天安市, 韩国2005 KLA TENCOR OSA6100
二手
- 品牌: KLA-Tencor
晶片尺寸: 2 ~ 6英寸 | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | 照明源: 25毫瓦的激光,405纳米的波长 | 操作员界面: 轨迹球和键盘标准 | 基材厚度: 350 μm ~ 1,100 μm | 基板材料: 任何透明或不透明的抛光表面 | 其他缺陷和应用: 颗粒、划痕、污点、凹坑和凸起。 | 敏感性: 自动缺陷分类的最小可检测尺寸 | - 刮痕: 100μm长,0.1μm宽,50埃;;深。 | - 坑:...
天安市, 韩国2006 KLA TENCOR OSA6100
二手
- 品牌: KLA-Tencor
晶片尺寸: 2 ~ 6英寸 | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | 照明源: 25毫瓦的激光,405纳米的波长 | 操作员界面: 轨迹球和键盘标准 | 基材厚度: 350 μm ~ 1,100 μm | 基板材料: 任何透明或不透明的抛光表面 | 其他缺陷和应用: 颗粒、划痕、污点、凹坑和凸起。 | 敏感性: 自动缺陷分类的最小可检测尺寸 | - 刮痕: 100μm长,0.1μm宽,50Å;;深。 | - 坑:...
天安市, 韩国- 天安市, 韩国
1996 NANOMETRICS 2100
二手
- 品牌: Nanometrics
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | *.过程: 薄膜厚度测量。 | *.波长: 390~800纳米钨灯12V/50W。
天安市, 韩国2006 N&K NK5300
二手
- 品牌: N&K
晶片尺寸: 12" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | Duv - vis - nir: 190纳米至1000纳米 | 反射率,偏振分析单元,光斑大小: 50um | - 薄膜: 薄膜厚度/n和k | - 幼儿教育: 深度/CD/轮廓
天安市, 韩国- 天安市, 韩国