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- 天安市, 韩国
2000 HITACHI S-4160
- 品牌: Hitachi
- 型号: S-4160
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 业务 | 决心: 2.5纳米,30千伏 | 放大率: 20X - 300KX | 电子枪: 冷场发射源,0.5 - 30 kV | 镜头类型: 电磁 | 物镜孔径: 可从外部选择4个位置 | 污名者: 八极电磁波 | 扫描线圈: 2级电磁式 | 尺寸: 8英寸晶圆可交换 | 泵: 涡轮泵 | 舞台动作: 5轴电机驱动 | 图像显示: 双12 "显示器 | * 选项...
天安市, 韩国2010 SDI/SEMILAB MCV2500
- 品牌: Semilab
晶片尺寸: 12" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | - cv计噪音测试(肖特基二极管测试): 1 std(% ) <0.167%。 | - 摩斯晶圆面积测试: 1 std(% ) <0.1% | ■ 电容: 0 ~ 2000pF(1MHz), 1 ~ 20,000pF(100KHz) | 电导率: 0 ~ 2000μS | 直流偏置电压: ± 250V | ■ 斜率: 0 ~ 50 V/s连续可变 | ...
天安市, 韩国1995 KLA TENCOR P-10
- 品牌: KLA-Tencor
- 型号: P-10
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 业务 | - 测量范围: 13㎛,300㎛. | - 扫描长度: 210mm。 | - 扫描速度: 1㎛ ~ 25毫米/秒。 | - 测针力: 1 ~100毫克。 | - 电动x-y平台(最大样品量: 254x254mm)。 | - 公用事业: 真空。 | - 权力: 115V/50HZ,4A。
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2006 KLA TENCOR CS20
- 品牌: KLA-Tencor
- 型号: CS20
晶片尺寸: 2 ~8英寸 | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 优秀 | 照明源: 8mW激光器,635纳米波长 | 操作员界面: 轨迹球和键盘标准 | 基材厚度: 350 μm ~ 1,100 μm | 基板材料: 任何透明或不透明的抛光表面 | 其他缺陷和应用: 颗粒、划痕、污点、凹坑和凸起。 | 敏感性: 自动缺陷分类的最小可检测尺寸 | - 刮痕: 100μm长,0.1μm宽,50埃;深。 | - 坑: 直径2...
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2006 SONIX Quantum 350
- 品牌: Sonix
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 业务 | 成像分辨率: 0.5微米 | 扫描速度: 最大。1000毫米/秒 | 扫描区: 350 毫米 x 350 毫米
天安市, 韩国1992 PROMETRIX RS 35
- 品牌: PROMETRIX
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 优秀 | *.过程: 晶圆片电阻测量 | *. 晶片尺寸: 2"~ 8" | - 操作软件: 统计图表(StatTrax) | - 需要压缩空气80 ~ 100 psi , 真空: 25mmHg
天安市, 韩国2005 KLA TENCOR OSA6100
- 品牌: KLA-Tencor
晶片尺寸: 2 ~ 6英寸 | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | 照明源: 25毫瓦的激光,405纳米的波长 | 操作员界面: 轨迹球和键盘标准 | 基材厚度: 350 μm ~ 1,100 μm | 基板材料: 任何透明或不透明的抛光表面 | 其他缺陷和应用: 颗粒、划痕、污点、凹坑和凸起。 | 敏感性: 自动缺陷分类的最小可检测尺寸 | - 刮痕: 100μm长,0.1μm宽,50埃;;深。 | - 坑:...
天安市, 韩国2006 KLA TENCOR OSA6100
- 品牌: KLA-Tencor
晶片尺寸: 2 ~ 6英寸 | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | 照明源: 25毫瓦的激光,405纳米的波长 | 操作员界面: 轨迹球和键盘标准 | 基材厚度: 350 μm ~ 1,100 μm | 基板材料: 任何透明或不透明的抛光表面 | 其他缺陷和应用: 颗粒、划痕、污点、凹坑和凸起。 | 敏感性: 自动缺陷分类的最小可检测尺寸 | - 刮痕: 100μm长,0.1μm宽,50Å;;深。 | - 坑:...
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1996 NANOMETRICS 2100
- 品牌: Nanometrics
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 翻新 | *.过程: 薄膜厚度测量。 | *.波长: 390~800纳米钨灯12V/50W。
天安市, 韩国N&K N&K 3000
- 品牌: N&K
晶片尺寸: 8" | 销售状况: 沽出 | 工具的状况: 原样 | - 波长范围 duv-vis-nir: 190 至 1000 纳米 | - 测量薄膜: OXIDE/PR/NITRIDE/OXINITRIDE/POLY/Ti/TiN... | - 测量项目: 沟槽深度、厚度、n(RI)、K、反射率、透射率......
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