晶片尺寸: 8" | 分室: 3C/H
晶片尺寸: 12" | 过程: 氧化物 | 分室: 4C/H
晶片尺寸: 12" | 过程: 氧化物 | 分室: 3C/H
晶片尺寸: 12" | 过程: 氧化物蚀刻 | 分室: 仅限会议厅