.最大 8 英寸 .
.自动机器人晶片处理
.单个开盒晶片装载站
.监控晶片的介电和界面特性测量
- 介质电容 (CD) 和厚度 (EOT)
- 介质泄漏电流 (I-V)
- 平带电压 (Vfb)
- 界面捕获密度 (Dit)
- 界面捕获电荷 (Qit)
- 半导体表面势垒 (Vsb)
- 氧化物总电荷 (Qtot)
- 移动离子电荷 (Qm)，等等
.适用于测量
- 带有高介电和低介电薄膜（如 SiO2、SiNx、Al2O3、HfO2 等）的半导体晶片（如 Si、SiGe、InGaAs、SiC、GaN 等）
