新 钜晶 PECVD-1200 在 上海市, 中国

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在真空压力下，加在电感线圈的射频电场，使反应室气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量，其本身温度很高，它与气体分子相碰撞，使气体分子活化。它们吸附在衬底上，并发生化学反应生成介质膜，副产物从衬底上解吸，随主气流由真空泵抽走，称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)。
PECVD开启式管式炉系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。
主要功能和特点：
1、PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等；
2、PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；
3、借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；
4、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成，最高真空可达0.001Pa；
5、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制；
6、每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性；
7、采用KF快速法兰密封，装卸方便快捷；
8、管路采用Swagelok卡套连接，不漏气；
9、超温、过压时，自动切断加热电源及流量计进气，使用安全可靠。
主要用途：
高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
技术参数：