新 PILATUS4 R CdTe 在 北京市, 北京, 中国
新
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规格参数
- 新旧状况
- 新
- 像素大小 [μm²]
- 150 x 150
- 能量范围 [kev]
- 8 - 25 (8 - 100)【1】
- 能量阈值数量
- 4
- 阈值范围 [kev]
- 4-30（4-80）【1】
- 计数率 (最大)@22kev[ph/s]
- 5.0 x 106
- 每个单位面积计数率 (最大)@22kev[ph/s/mm2]
- 2.2 x 108
- 读出时间【2】
- 连续读出
- 传感器材料
- CdTe
- 传感器厚度[μm]
- 1000
- 点扩散函数 （fwhm）pixel
- 1
- 产地
- 瑞士
- 子类别
- 产品中心
- 子类别 2
- 瑞士光子计数x射线探测器
- 产品编号
- 108809832
描述
1.产品特点：
凭借高于95%的极高量子效率，及其高达155×162毫米的极大有效面积，PILATUS4 R CdTe探测器可对基于从铜(Cu)到铟(In)的任何X射线源的快速数据收集。特别是对于钼(Mo),银(Ag)和铟(In)辐射，PILATUS4 R CdTe的性能优于任何配有硅传感器的HPC探测器—甚至包括目前拥有最厚的硅传感器的PILATUS3。
PILATUS4凭借出色的计数率和探测器背景噪音的特点，实现了跨越十个数量级的广泛动态范围，高达200Hz的内部帧速，进一步优化了计数率校准，从而确保高强度测量的高度准确性。此外，PILATUS4还具备四个能量区分阈值，为劳厄衍射和光谱成像等应用带来了新的可能。
2.核心优势：
巨大且有效：有效成像面积高达155x162mm,量子效率超过95%。
最大限度的高动态范围：通过零探测器背景噪音，卓越的计数率以及同步读写技术，实现最大限度的高动态范围。
多功能性 覆盖了从铜(Cu)到铟(In)高量子效率，四个能量区分阈值适用于多光应用。
3.应用领域：
单晶衍射
小角X射线散射
光谱成像
劳厄衍射
4.技术参数：
PILATUS4 R CdTe
1M
260K
260K-W
有效面积：宽×高 [mm²]
155.0 x 162.0
77.0× 79.5
155.0 x 38.3
像素阵列
1033 x 1080
513 × 530
1033× 255
像素大小 [μm²]
150 x 150
能量范围 [keV]
8 - 25 (8 - 100)【1】
能量阈值数量
4
阈值范围 [keV]
4-30（4-80）【1】
计数率 (最大)@22keV[ph/s]
5.0 x 106
每个单位面积计数率
(最大)@22keV[ph/s/mm2]
2.2 x 108
帧频 【1】最大[Hz]
10
100
100
读出时间【2】
连续读出
传感器材料
CdTe
传感器厚度[μm]
1000
点扩散函数 （FWHM）pixel
1
尺寸（WHD）[mm³]
235 x 237 x 372
114 x 133 x 242
192 x 92 x 277
重量 [kg]
15
4.7
5.8
【1】可选择校准来扩展能量范围
【2】两次曝光之间的有效死时间＜100ns（最大损失1count/pixel）