新 高纯锗HPGe晶体 在 北京市, 北京, 中国
新
Doubleclick to zoom in
请联系卖家咨询
更多照片和设备细节。
规格参数
- 新旧状况
- 新
- 产地
- 比利时
- 属性
- 半导体材料
- 密度
- 5.32g/cm3
- 熔点
- 937.2℃
- 沸点
- 2830℃
- 光洁度
- 特优
- 纯度
- 99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)
- 制备方式
- 锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。
- 产品规格
- P、N型按客户要求定制
- 产品用途
- 电子元器件、红外器件、γ辐射探测器
- P型n型高纯锗
- 在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗； 在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。
- 交货期
- 90天
- 子类别
- 产品中心
- 子类别 2
- 比利时高纯锗hpge晶体
- 产品编号
- 108809824
描述
1.晶体习性与几何描述：
该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：
D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重量
L-----晶体长度
测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。
2.纯度 ：残留载荷
最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。
同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式：
Nmax = 每立方厘米最大杂质含量
VD = 耗尽层电压 = 5000 V
εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半径
r2 = 探测器外孔半径
3.纯度 ：
假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为：
D = 晶体外表面
平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：
d=探测器外观尺寸厚度
径向分散载荷子（绝对值）
迁移：霍尔迁移
性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108 cm-3
晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体
错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000
星型结构 ≤ 3 ≤ 3
镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5
4.高纯度高纯锗HPGe晶体说明：