晶片尺寸: 12" | 过程: 氧化物 | 分室: 3C/H
晶片尺寸: 8" | 分室: SACVD Delta TEOS 3ch，SPUTTER 1ch
晶片尺寸: 8" | 分室: SACVD Delta TEOS 3Ch,SPUTTER 1ch
晶片尺寸: 8" | 分室: 2C/H
晶片尺寸: 8" | 分室: 3C/H
晶片尺寸: 6" | 分室: 1+1c/h (1cvd + 1etch)
晶片尺寸: 8" | 分室: 4c/h（微波炉型）
晶片尺寸: 12" | 过程: 氧化物 | 分室: 4C/H
晶片尺寸: 12" | 过程: 氧化物蚀刻 | 分室: 仅限会议厅
格鲁吉亚, 美国
马萨诸塞, 美国
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马萨诸塞, 美国
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马萨诸塞, 美国
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洛杉矶, 加州