二手 傳感器

安捷伦（HP/Keysight）81636B光功率传感器

• 二手

• 品牌: Agilent - Keysight

物品: 81636B | 校准类型: 包含高级校准 | 传感器类型: 砷化镓铟 | 波长范围: 1250 nm 至 1640 nm | 功率范围: +10 至 -80 dBm | 准确性: ± 3%（1260 nm 至 1630 nm） | 平均时间: 25 微秒 | 直线性: 连续波 +10 至 -60 dBm，（1260 nm 至 1630 nm） | 航运: 全球配送。请联系我们获取运费报价。 | 运输条款: EX...

横河AQ2200-231光学传感器头光学测量

• 二手

• 品牌: Yokogawa

探测器类型: InGaAs，5毫米 | 波长范围: 800至1700纳米 | 功率范围仅限连续光: -90 至 +10 dBm | 功率范围斩波灯: -90 至 +7 dBm | 适用纤维: ＜ 100/140 µm（SI），数值孔径＜0.3 | 总不确定性: ±3.5%±50皮瓦 | 极化依赖性: 0.025 分贝峰峰值 | 噪声水平: ＜ 50 皮瓦 | 平均时间: 100 微秒

Ando AQ2735 功率传感器

• 二手

• 品牌: Ando

物品: AQ2735 | 校准类型: 包含高级校准 | 传感器类型: 冷却的InGaAs | 波长范围: 700至1700nm | 功率范围: -80 至 +27 dBm（连续波光） | 准确性: ±5%（1000 至 1650 nm） | 直线性: ±0.05dB（1000 至 1650 nm，-40 至 +27 dBm） | 偏振相关损失: 0.02dB P-P 典型值。 | 航运: 全球配送。请联系我们获取运费报价...

Ando AQ2743 功率传感器

• 二手

• 品牌: Ando

Ando AQ-1905 光功率传感器

• 二手

• 品牌: Ando

安藤AQ2753传感器

• 二手

• 品牌: Ando

波长范围: 750至1800纳米 | 参考波长: 1310纳米 | 光电探测器: 锗1毫米直径 | 功率范围（连续光）: -70 至 +10 dBm | 准确性: ± 5% (-20 dBm)

Ando AQ2719传感器

• 二手

• 品牌: Ando

波长范围: 750-1700纳米 | 模式: 分贝毫瓦 | 连续波: -60～+10（1300nm处） | 斩波（270赫兹）: -80～0（1300nm处）

JDS SWS15107探测器模块

• 二手

• 品牌: JDSU - Viavi - Acterna

Ac101: FC | Ac103: 南卡罗来纳州 | Ac118: 辽宁省

安捷伦（Keysight/HP）81634B 光功率传感器

• 二手

• 品牌: Agilent - Keysight

传感器元件: 砷化镓铟 | 波长范围: 800-1700纳米 | 功率范围: +10 至 -110 dBm

Agilent 81633A 光功率传感器

• 二手

• 品牌: Agilent - Keysight

物品: 81633A | 校准类型: 包含高级校准 | 传感器类型: 砷化镓铟 | 波长范围: 800 nm 至 1700 nm | 功率范围: +10 dBm 至 -90 dBm | 准确性: ＜±2.5%（1000nm至1630nm） | 直线性: （连续波 +10 dBm 至 -70 dBm） ＜±0.015 dB ±2 pW | 航运: 全球配送。请联系我们获取运费报价。 | 运输条款: EXW。买方负责所有关税...

Agilent 81632B 光功率传感器

• 二手

• 品牌: Agilent - Keysight

传感器类型: 砷化镓铟 | 波长范围: 800-1650纳米 | 功率范围: +10 至 -80 dBm | 直线性: 连续波 +10 至 -60 dBm（1200 至 1630 nm）

HP 81536A InGaAs 功率传感器模块

• 二手

• 品牌: HP

宽波长范围: 覆盖800–1700 nm，适用于各种光学应用。 | 高精度: ±2.5% 的精度（1000–1650 nm）确保读数可靠、精确。 | 卓越的线性度: ±0.015 dB±30 pW，提供稳定一致的性能。 | Ingaas传感器技术: 增强精确低功率测量的灵敏度。

横河AQ2200-201头部接口模块

• 二手

• 品牌: Yokogawa

Ando AQ-2727 功率传感器

• 二手

• 品牌: Ando

Ando AQ-2725 功率传感器

• 二手

• 品牌: Ando

波长范围: 750 纳米至 1800 纳米 | 传感器类型: 冷却 Ge | 光束直径: 5 mm | 功率范围连续光: -110 至 +10 dBm | 绝对功率精度: 5%